最近兩天,芯片界的大事不斷!
據(jù)多家媒體報道,中國3D NAND領軍企業(yè)長江存儲已在美國加州北區(qū)對美光提起訴訟,指控這家美國公司侵犯了其11項專利,涉及3D NAND操作的各個方面。長江存儲請求法院下令美光停止在美國銷售其內存,并向其支付專利使用費。
這是繼今年6月后,長江存儲又一次對美光出手。2023年11月,長江存儲就曾在美國起訴美光專利侵權,涉8項專利;2024年6月,長江存儲在美起訴美光資助的咨詢公司,指控其散布虛假信息。
今天,還有消息稱,英偉達正在為中國市場開發(fā)一款符合美國現(xiàn)行出口管制的新旗艦人工智能芯片。另一方面,三星電機宣布向AMD供應面向超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心領域的高性能FCBGA基板。
來看報道!
長江存儲突發(fā)
據(jù)媒體報道,中國3D NAND領軍企業(yè)長江存儲已在加州北區(qū)對美光提起訴訟(通過 Blocks&Files),指控這家美國公司侵犯了其11項專利,涉及3D NAND操作的各個方面。長江存儲請求法院下令美光停止在美國銷售其內存,并向其支付專利使用費。
長江存儲表示,美光的96層(B27A)、128層(B37R)、176層(B47R)和232層(B58R)3D NAND存儲器以及美光的部分DDR5SDRAM產品(Y2BM系列)侵犯了其在美國提交的11項專利或專利申請。據(jù)@lithos_graphein收集的專利申請列表表明,它們涵蓋了3D NAND和DRAM功能的一般方面。
美國商務部于2022年底將長江存儲列入黑名單,這大大增加了該公司從美國公司獲得先進晶圓廠設備,以制造其市場領先的3D NAND設備的難度。去年,因為美國商務部禁止銷售可用于制造具有超過128個活動層的3D NAND的晶圓廠工具和技術,長江存儲發(fā)展的難度再度加大。
有趣的是,總部位于美國的 Patriot Memory正在準備一款高端PCIeGen5x4SSD,其讀取速度高達14GB/s。而該公司的技術正是基于一家中企——Maxiotek的控制器和長江存儲的3D NAND內存。
芯片大事不斷
最近,芯片界的大事可謂不斷。
7月22日消息,三星電機宣布向AMD供應面向超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心領域的高性能FCBGA(倒裝芯片球柵陣列,F(xiàn)lipChip-Ball Grid Array)基板。
三星電機在新聞稿中宣稱,其已向FCBGA基板領域投資了1.9萬億韓元(約99.5億元人民幣)。?三星電機與AMD聯(lián)手開發(fā)了將多個半導體芯片集成到單個基板上的封裝技術,這項技術對CPU/GPU應用至關重要,可實現(xiàn)當今超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心所需的高密度互聯(lián)。與通用計算機基板相比,數(shù)據(jù)中心基板面積是前者10倍、層數(shù)是前者3倍,對芯片供電與可靠性的要求更高。
據(jù)IT時代消息,三星電機副總裁兼戰(zhàn)略營銷主管Kim Won-taek表示:“我們已成為HPC(高性能計算)和AI半導體解決方案全球領導者AMD的戰(zhàn)略合作伙伴。我們將繼續(xù)投資于先進的基板解決方案,以滿足數(shù)據(jù)中心和計算密集型應用不斷變化的需求,為AMD等客戶提供核心價值。”
AMD全球運營制造戰(zhàn)略副總裁Scott Aylor表示:“AMD始終走在創(chuàng)新的前沿,以滿足客戶對性能和效率的需求。我們在芯片技術領域的領先地位讓我們能夠在CPU和數(shù)據(jù)中心GPU產品組合中提供卓越的性能、效率和靈活性。我們與三星電子等合作伙伴的持續(xù)投資,將確保我們擁有提供未來HPC和AI產品所需的先進基板技術和能力。”
三星和AMD的聯(lián)手,對于全球算力需求用戶來說,是一大福音,但對于GPU的最大生產商英偉達來說,可能并不是一個好消息。
而最近,英偉達也有動作。據(jù)路透社22日消息,英偉達正在為中國市場開發(fā)一款符合美國現(xiàn)行出口管制的新旗艦人工智能芯片。英偉達今年3月發(fā)布了“Blac kwel”芯片系列,并將于今年晚些時候量產。在該系列中,B200在某些任務(如提供聊天機器人的回答)上的速度比前代產品快30倍。消息人士稱,英偉達將與其中國經銷商伙伴合作推出和分銷這款暫定名為“B20”的芯片。
來源:證券時報