人工智能技術(shù)發(fā)展方興未艾，推動大算力時(shí)代拉開序幕。但一個(gè)行業(yè)共識是，目前我國算力性能超過存儲能力，產(chǎn)生的數(shù)據(jù)難以被完全存儲并轉(zhuǎn)化為價(jià)值。

根據(jù)相關(guān)規(guī)劃，到2025年，我國存儲總量要超過1800EB。而到2023年6月底，全國存力總規(guī)模為超過1080EB。這意味著，中間還有超700EB的巨大存儲缺口亟待補(bǔ)充。

巨大的缺口意味著巨大的增長潛力。作為半導(dǎo)體行業(yè)中最大細(xì)分市場之一，存儲芯片在經(jīng)歷近兩年的低迷后，在2023年第四季度出現(xiàn)復(fù)蘇跡象，2024年一季度延續(xù)回暖的勢頭。這種復(fù)蘇勢頭的背后，很難說不是AI的推動。

“以人工智能為主的新興領(lǐng)域推動存儲市場需求持續(xù)向好，存儲行業(yè)價(jià)格自2023年三季度起至今一直處于上升通道，公司銷售收入規(guī)模、毛利率增長延續(xù)良好態(tài)勢，凈利潤水平較去年同期大幅提升。”一家A股內(nèi)存芯片公司對21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示。

記者注意到，僅從A股存儲器板塊2023年年報(bào)和2024年一季報(bào)來看，業(yè)績已經(jīng)呈現(xiàn)明顯向好趨勢，多家公司提及服務(wù)器市場需求上升的推動。

此外，隨著算力需求越發(fā)提升，市場對數(shù)據(jù)存儲的容量、效率、流動性和安全性等方面也提出了更高的要求，這推動著新型存儲芯片技術(shù)的創(chuàng)新，給產(chǎn)業(yè)鏈帶來新的機(jī)遇。

存儲產(chǎn)業(yè)鏈格局

目前為投資者熟知的存儲產(chǎn)業(yè)鏈，即指半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)鏈，上游主要包括硅片、光刻膠、電子特種氣體等原材料和設(shè)備供應(yīng)商；中游半導(dǎo)體存儲器，存儲芯片是其核心組成部分；下游主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、信息通信、汽車電子、工業(yè)電子、服務(wù)器、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域。

存儲芯片進(jìn)一步細(xì)分為兩種，分別是易失性存儲器和非易失性存儲器，易失性存儲器主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）；非易失性存儲器主要包含可編程只讀存儲器(PROM)、閃存存儲器(Flash)、可擦可編程只讀存儲器(EPROM/EEPROM)等。其中Flash和DRAM存儲器是主流存儲產(chǎn)品，合計(jì)市場份額約達(dá)99%。

而在FLASH存儲器技術(shù)中，常見的兩種類型是NOR Flash和NAND Flash，前者市場規(guī)模相對較小且競爭日趨激烈，國際存儲器龍頭紛紛退出中低端NOR Flash市場，產(chǎn)能或讓位于高毛利的高容量NOR Flash，或轉(zhuǎn)向DRAM和NAND Flash業(yè)務(wù)。

因此，更準(zhǔn)確地說，DRAM和NAND Flash占據(jù)了當(dāng)前存儲器芯片市場的主要份額。

在DRAM領(lǐng)域，目前全球存儲器產(chǎn)業(yè)處于高度壟斷，主要的DRAM廠商包括韓國的三星電子、SK海力士和美國的美光科技，占據(jù)全球90%以上的市場份額，排名其后的多為中國臺灣地區(qū)的企業(yè)。NAND FLASH市場情況與之類似，2023年，三星和SK海力士共占據(jù)49.5%的市場份額，鎧俠占比21.6%，美光占比10.3%。

眾所周知，由于下游需求整體不振，存儲芯片市場已經(jīng)低迷了兩年之久，一眾巨頭和A股存儲產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)績均未能幸免。但2023年下半年以大模型為代表的人工智能技術(shù)迅猛發(fā)展后，全球存儲芯片市場面臨前所未有的供應(yīng)緊張局面，尤其是對高性能存儲的需求暴漲。

那么，AI端側(cè)對存儲需求的增長到底如何直觀感受？

根據(jù)國泰君安的一份最新研報(bào)，從需求側(cè)看，DRAM晶圓需求主要集中在服務(wù)器、移動市場、PC三部分，其中服務(wù)器占比36.71%，移動占比37.67%，PC占比11.95%。NAND需求主要集中在手持設(shè)備，企業(yè)級SSD，PC SSD三部分，其中手持設(shè)備占比32.17%，企業(yè)級SSD占比18.45%，PC SSD占比24.82%。

其中，AI增長對服務(wù)器存儲需求增量較大，以GB200 NVL72為例——單臺GB200 NVL72（HBM+LPDDR5x）消耗晶圓片數(shù)為15.21片。以手機(jī)為例，若內(nèi)存由8GB增加至16GB，DRAM晶圓新增消耗量約3643.26千片，若閃存容量由256GB增加至512GB，NAND晶圓新增消耗量約4033.61千片。

據(jù)測算，到2025年AI對于存儲晶圓的消耗(包括服務(wù)器，手機(jī)，PC存儲容量增加)相較于2023年年末，DRAM與NAND市場的需求增量分別為20.63%、22.25%。

復(fù)蘇背后的動力

在這樣的背景下，從2023年四季度開始，SK海力士率先迎來盈利。今年一季度，美光、三星等廠商也實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。

兆易創(chuàng)新（603986.SH）第一大營收產(chǎn)品為存儲器，具體包括NOR Flash、SLC Nand Flash和DRAM。2023年，由于終端市場需求疲弱，公司業(yè)績下滑明顯，今年一季度業(yè)績才有所恢復(fù)。佰維存儲（688525.SH）、江波龍（301308.SZ）、普冉股份（688766.SH）等存儲器廠商均表現(xiàn)出相同的業(yè)績走勢。

其中一家公司負(fù)責(zé)人在接受21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者采訪時(shí)表示，“公司今年一季度有不錯(cuò)的表現(xiàn)，就二季度來看，上游廠商也有一些合約價(jià)格的上行，我們的產(chǎn)品價(jià)格基本上是隨行就市的情況。”

華邦電子主要致力于中小容量的DRAM產(chǎn)品以及Flash產(chǎn)品，公司相關(guān)負(fù)責(zé)人接受21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者采訪時(shí)說道：“從去年Q3末、Q4初到現(xiàn)在，市場需求方面無論是手機(jī)、PC、服務(wù)器，還是電視這些大眾的消費(fèi)類電子產(chǎn)品，需求相對于去年在某種程度上展現(xiàn)出了恢復(fù)態(tài)勢。”

不過需要指出的是，本輪存儲周期的拐點(diǎn)并非單一來自下游市場復(fù)蘇，而更多是上述原廠削減資本開支，減少晶圓產(chǎn)能等多重措施，使得存儲市場供需逐漸回歸平衡。

對于未來的推動力，前述A股公司受訪人士表示，“在AI的驅(qū)動下，會帶動存儲規(guī)格的提升，例如服務(wù)器需要更多高性能、高容量、高傳輸速率的產(chǎn)品，這將帶動整體存儲行業(yè)技術(shù)迭代。”

“消費(fèi)電子產(chǎn)品的銷量正常情況是持續(xù)增長的，同時(shí)每個(gè)產(chǎn)品所需的容量也會不可逆地持續(xù)增加，相信2024年乃至以后，存儲領(lǐng)域的原動力會一直存在，同時(shí)AI也會帶動新一波的增長。”華邦電子相關(guān)負(fù)責(zé)人補(bǔ)充道。

兆易創(chuàng)新也在年報(bào)中談道，就AI而言，除在云端算力的爆發(fā)式需求外，其端側(cè)的應(yīng)用也將快速發(fā)展和普及。在手機(jī)和PC需求企穩(wěn)的背景下，疊加AI大趨勢，預(yù)計(jì)2024年存儲市場將恢復(fù)增長。