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      中國半導體行業(yè)協(xié)會葉甜春:集成電路產業(yè)存在結構性不平衡 未來需要更多特色創(chuàng)新

      李靖恒2021-11-03 12:59

      經濟觀察網 記者 李靖恒 “整體來看,中國的集成電路產業(yè)版圖框架是最完整的。但具體分析來看,在區(qū)域發(fā)展和產業(yè)鏈發(fā)展兩個角度,國內仍面臨較為明顯的發(fā)展結構性不平衡現(xiàn)象。”11月2日, 中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路分會理事長葉甜春在2021年(第24屆)中國集成電路制造年會暨供應鏈創(chuàng)新發(fā)展大會上的演講中如此表示。

      “過去12年,在國家科技重大專項、國家產業(yè)基金、相關政策的支持下,國內集成電路全產業(yè)鏈實現(xiàn)了跨越發(fā)展。體系和能力的建立,給產業(yè)發(fā)展帶來底氣和信心。”葉甜春說。

      葉甜春亦表示,國內半導體制造業(yè)產值在逐年提高,但在其中按照企業(yè)類型、地區(qū)分布等方面來看,都存在一定發(fā)展空間。 統(tǒng)計顯示,雖然國內晶圓制造產業(yè)發(fā)展如火如荼,但來自內資企業(yè)貢獻的銷售收入占比卻在大幅下降,從2016年的44%,下滑到2020年的27.7%;同期中國臺資企業(yè)在穩(wěn)步增長,外資企業(yè)在快速增長,從49.1%抬升到61.3%。

      “這意味著行業(yè)在增長,內資制造企業(yè)也在增長,但增長速度遠遠低于外資和中國臺資企業(yè)。這是值得引起關注的現(xiàn)象。”葉甜春表示。

      從區(qū)域來看,也呈現(xiàn)較為明顯的結構性差異表現(xiàn)。葉甜春介紹,“十三五”期間,按照國內集成電路晶圓制造前十大(收入)企業(yè)地區(qū)分布情況來看,長三角地區(qū)始終占據(jù)最高比例,2020年占比44%;京津冀和環(huán)渤海地區(qū)在快速增長,提高到了14.1%;中西部也有較高比重,占據(jù)39.2%。但珠三角地區(qū)在2020年僅有2.8%的收入占比貢獻。

      “珠三角地區(qū)的(晶圓)制造業(yè)剛起步,未來,大灣區(qū)制造業(yè)的發(fā)展任重而道遠,但我們也看到有充分的發(fā)展和伸展空間。”

      關于上游核心的設備,葉甜春表示,2020年國內半導體設備銷售收入達242.9億元,“十三五”期間年化增長率達到38.77%,正實現(xiàn)連續(xù)增長態(tài)勢。從本土新建產線本土設備中標率來看,目前約16.1%。但裝備業(yè)銷售規(guī)模仍然不夠,全球占比僅6%,還偏低。

      葉甜春進一步表示,在半導體材料領域,國內各大類材料已經完成研發(fā)布局,細分產品不斷豐富。從國內半導體材料業(yè)銷售情況來看,預計在2021年將達到388億元,其中,國內的硅材料、電子氣體、工業(yè)化學品三大領域在整體材料銷售收入中占比較高、發(fā)展較好。但值得注意的是,在光掩膜、光刻膠兩大關鍵領域占比還很小。

      “總體來說,在政策支持和產業(yè)積極發(fā)展背景下,整個集成電路產業(yè)體系已經建立,但總體實力還不夠強,部分領域相對薄弱。”葉甜春說。

      葉甜春認為,應該從系統(tǒng)應用、芯片設計、制造、裝備、材料等方面協(xié)同發(fā)展,要建立創(chuàng)新的良性生態(tài)。“尤其是制造領域,制造企業(yè)的用戶對裝備材料的帶動和支持非常大,但是現(xiàn)在的進展離我們要達到的目標遠遠不夠。”

      對于裝備和材料、軟件工具(如EDA)等核心技術領域,葉甜春表示:“這也是國際博弈的長期焦點,對供應鏈以前產業(yè)間抱有幻想,但目前哪怕是形勢有所緩和、即便國內自己做成本較高,也要堅持不懈去做。”

      葉甜春還表示:“而要解決芯片卡脖子問題,國內生態(tài)的解決思路不能依靠大而全,而是通過特色創(chuàng)新,建立局部優(yōu)勢,形成競爭制衡。開放合作必須堅持,但全球化的策略需要調整,關鍵是如何發(fā)揮中國市場潛力,通過創(chuàng)新合作,開拓新空間,形成一個合作共贏的全球化新生態(tài)。”

      比如,具體來說,可以立足中國市場實現(xiàn)世界水平創(chuàng)新,在若干核心技術領域形成具有特色的創(chuàng)新技術和創(chuàng)新產品;同時探索產業(yè)新模式,即以系統(tǒng)和應用為中心,在目前設計+代工和集成制造(IDM)兩種模式基礎上,可能產生以融合為特征的新模式。

      葉甜春認為,目前來看,制造業(yè)的尺寸微縮仍將繼續(xù)到2030年后,對物理極限的接近將導致技術難度劇增。這也將倒逼路徑創(chuàng)新,給FDSOI(全耗盡絕緣體上硅: 一種平面工藝技術)等技術帶來機遇。“FDSOI這一新路線的制造工藝難度遠低于FinFET(目前主流芯片制程工藝),適合我們現(xiàn)在的能力。”

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      深圳采訪部記者
      關注科技領域,包括新能源、半導體、電子通信等科技制造企業(yè)。
      郵箱聯(lián)系:lijingheng@eeo.com.cn
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