三星電子與ASML共同在韓國投資的半導(dǎo)體先進(jìn)制程研發(fā)中心預(yù)計(jì)自2027年起引進(jìn)High-NA 極紫外光（EUV）設(shè)備。該研發(fā)中心是為High-NA EUV而興建，總投資金額1兆韓元，最快于2027年引進(jìn)設(shè)備，因需經(jīng)過許可流程，最快將于2024年12月或2025年動(dòng)工。三星表示，目前High-NA EUV仍處于審查推出時(shí)機(jī)的階段，將根據(jù)市場狀況及客戶需求決定方向。（科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)）